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      datasheet
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      mosfet

      簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      在電子工程世界為您找到如下關于“mosfet”的新聞

      英飛凌OptiMOS? 功率mosfet—高效率高功率密度
      英飛凌OptiMOS? 3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節省空間的SuperSO8封裝,與先前型號相比,具有更高的功率密度和穩健性,從而降低系統成本和提升整體性能。客戶可以訪問儒卓力電子商務平臺www.rutronik24.com.cn了解有關OptiMOS? BiC功率MOSFET產品信息。 由于具有最低的導通電阻(RDS(on)),這些BiC...
      類別:半導體生產 2019-07-15 標簽: MOSFET 英飛凌 OptiMOS
      超高效率、超低功耗,ROHM內置mosfet DC/DC轉換器問市
      全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向移動設備、可穿戴式設備及IoT設備,開發出一款內置MOSFET的升降壓型DC/DC轉換器*1)“BD83070GWL”,該產品實現了超高效率和超低消耗電流。  “BD83070GWL”是面向小型電池驅動的電子設備,以“低功耗環保元器件的標桿版”為目標開發而成的超低功耗升降壓型電源IC。產品內置低損耗...
      類別:轉換器 2019-07-15 標簽: ROHM DC DC轉換器
      內置大功率mosfet 士蘭微電子新一代SSR反激控制芯片問市
      近期,士蘭微電子推出了內置大功率MOSFET的SSR反激電源管理芯片SDH8666Q系列,該系列產品是為士蘭微電子新一代SSR反激控制芯片,采用了自有專利EHSOP5貼片封裝,內置高壓大功率MOSFET,可廣泛適用于36W適配器或48W開放環境,包括通用適配器、快充、顯示器和平板電視等。系列產品包括:產品高壓啟動內置MOS Rds(on)(Ω)最高頻率(kHz...
      類別:驅動 2019-07-01 標簽: 士蘭微 反激控制芯片
      現代IGBT/mosfet柵極驅動器提供隔離功能的最大功率限制
      摘要 本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。 在高度可靠、高性能的應用中,如電動/混合動力汽車,隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進,以及對GaN和SiC工藝技術的引進,現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此,需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動器...
      類別:材料技術 2019-06-21 標簽: IGBT MOSFET
      高壓mosfet第四種技術AccuMOS?產品 成倍提升行業功率密度
      ,2019年6月18日正式發布的AccuMOS?產品,很好地解決了上述難題。AccuMOS?采用自主研發的“全新電場操縱”技術,首次將摩爾定律引入高壓功率場效應管(MOSFET)設計,可將Rsp值(Specific Rdson,單位面積電阻)隨設計線寬逐步縮小。本次派微電子發布的AccuMOS?產品功率密度已經達到LDMOS和VDMOS業界最好水平 的2倍以上,并且隨著線寬...
      類別:半導體生產 2019-06-19 標簽: MOSFET AccuMOS
      捷捷微電:芯片年產能160萬片,將擴充mosfet、IGBT等產品線
      生產線、新型片式元器件和光電混合集成電路封測產線,擴充MOSFET、IGBT等產品線,為中長期增長奠定基礎。江蘇捷捷微電子股份有限公司創建于1995年,是一家專業從事半導體分立器件、電力電子器件研發、制造及銷售的江蘇省高新技術企業。據其官網介紹,目前公司擁有五條半導體功率器件產品線。...
      類別:便攜/移動產品 2019-06-06 標簽: 捷捷微電
      盤點安森美在電動汽車領域的布局
      的是ON的車輛電氣化產品組合。該公司的電源產品包括IGBT(絕緣柵雙極晶體管),具有廣泛的雙極電流承載能力。這些產品包括用于牽引驅動應用的高功率IGBT器件,在650V-1200V范圍內。安森美半導體還生產高壓柵極驅動器(功率放大器,采用低功率IC輸入并為IGBT或MOSFET產生高電流驅動輸入)和高壓整流器,將AC轉換為單向DC。此外,安森美半導體還提供超結MOSFET...
      類別:動力系統 2019-06-06 標簽: 安森美 電動汽車 功率 MOSFET
      技術文章—常見mosfet失效模式的分析與解決方法
      ,因此可以改善系統的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用,包括高端服務 器、平板顯示器電源的應用。但是,包含有LLC諧振半 橋的ZVS橋式拓撲,需要一個帶有反向快速恢復體二極 管的MOSFET,才能獲得更高的可靠性。 在功率變換市場中,尤其對于通信/服務器電源應用,不 斷提高功率密度和追求更高效率已經成為具...
      類別:電源設計 2019-05-28 標簽: MOSFET
      Power Integrations發布集成900 V初級mosfet離線式開關電源IC
      深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司發布一系列集成了900 V初級MOSFET的離線式開關電源IC。新發布的器件既包括適合高效率隔離反激式電源的IC,也包括適合簡單型非隔離降壓式變換器的IC。其應用范圍包括480 VAC三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高品質...
      類別:驅動 2019-05-07 標簽: Power Integrations
      如何選擇mosfet——電機控制
      本文主要討論特定終端應用需要考慮的具體注意事項,首先從終端應用中將用于驅動電機的FET著手。電機控制是30V-100V分立式MOSFET的一個龐大且快速增長的市場,特別是對于許多驅動直流電機的拓撲結構來說。在此,我們將專注于討論如何選擇正確的FET來驅動有刷、無刷和步進電機。盡管很少有硬性規定,且可能有無數種方法,但希望本文能讓您基于終端應用了解從何處著手。 要做...
      類別:智能工業 2019-04-30 標簽: MOSFET 電機控制

      mosfet資料下載

      MOSFET驅動AN799MOSFET 驅動器與 MOSFET 的匹配設計作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驅動器吸收靜態電流而產生的功 耗。簡介當今多種 MOSFET 技術和硅片制程并存,而且技術進 步日新月異。要根據 MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺 寸, 對如何將 MOSFET...
      類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: MOSFET 驅動
      MOSFET的基礎知識:2.功率MOSFET 的結構和工作原理:功率MOSFET的種類:按導電溝道可分為P 溝道和N 溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道,增強型;對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時才存在導電溝道,功率MOSFET 主要是N溝道增強型。2.1 功率MOSFET 的結構功率 MOSFET 的內部結構和電氣符號如圖1 所示;其導通時...
      類別:電機 2013年09月20日 標簽: 功率MOSFET
      MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field EffectTransistor場效應晶體管),即以金屬層...
      類別:電機 2013年09月29日 標簽: MOSFET 的工 作原
      選擇正確的MOSFET:工程師所需要知道的選擇正確的MOSFET:工程師所需要知道的作者:飛兆半導體公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez隨著制造技術的發展和進步,系統設計人員必須跟上技術的發展步伐,才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件,工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇...
      類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: 選擇 正確 MOSFET 工程 師所 需要 知道
      功率MOSFET的基本知識功率MOSFET的基本知識自 1976 年開發出功率 MOSFET 以來,由于半導體工藝技術的發展,它的性能不斷提高:如高壓功率 MOSFET 其工 作電壓可達 1000V;低導通電阻 MOSFET 其阻值僅 lOm;工作頻率范圍從直流到達數兆赫;保護措施越來越完善;并開 發出各種貼片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
      類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: 功率 MOSFET 的基 本知
      功率場效 應晶體管MOSFET 功率場效應晶體管MOSFET 摘要:文中闡述了MOSFET的結構、工作原理、靜態、動態特性,并對動態特性的改進進行了論述,簡介了MOSFET的驅動電路及其發展動態。 關鍵詞:MOSFET 結構 特性 驅動電路 發展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
      類別:模擬及混合電路 2013年06月18日 標簽: MOSFET
      能同時滿足高、低b值的晶體管工作要求的設計方案8.2.6驅動效率8.3貝克(baker)鉗位8.3.1baker鉗位的工作原理8.3.2使用變壓器耦合的baker鉗位電路8.3.3變壓器型baker鉗位[5]8.3.4達林頓管(darlington)內部的baker鉗位電路8.3.5比例基極驅動[2~4]8.3.6其他類型的基極驅動電路參考文獻第9章大功率場效應管(mosfet)及其驅動電路9.1...
      類別:開關電源 2013年06月18日 標簽: 開關電源設計
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      類別:IC設計及制造 2013年09月22日 標簽: N3856V動作原理說明
      MOSFET開關過程理解 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法:基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程,并詳細闡述了其開關過程。開關過程中,功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。在跨越恒流區時,功率MOSFET漏極的電流和柵極電壓以跨導為正比例系列,線性增加。米勒平臺區對應著最大的負載...
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